混合阳极电极结构的GaN基肖特基二极管专利查询专利号|摘要-满商公司网

混合阳极电极结构的GaN基肖特基二极管

基本信息

申请号	CN201620672880.1	申请日	-
公开（公告）号	CN205911315U	公开（公告）日	2017-01-25
申请公布号	CN205911315U	申请公布日	2017-01-25
分类号	H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	刘宁炀;陈志涛;刘晓燕;赵维;贺龙飞;王君君	申请（专利权）人	广东能芯半导体科技有限公司
代理机构	广东世纪专利事务所	代理人	广东省半导体产业技术研究院;广东能芯半导体科技有限公司
地址	510651 广东省广州市天河区长兴路363号
法律状态	-

摘要

一种混合阳极电极结构的GaN基肖特基二极管，包括衬底、外延层、电极及钝化介质绝缘层，所述电极的阴极电极是在外延层表面的阴极区域沉积金属并退火而形成的欧姆接触，所述电极的第一阳极电极是在外延层表面的第一阳极区域沉积低功函数金属层而形成的第一个肖特基接触，所述电极的第二阳极电极是在外延层表面的第二阳极区域先沉积极薄介质层、再沉积高功函数金属层而形成的第二个肖特基接触，所述的两个肖特基接触共同形成混合阳极电极结构。本实用新型采用低功函数金属电极和高功函数金属‑极薄介质电极的混合结构，分别作为GaN基肖特基二极管的第一阳极和第二阳极，能够在有效地降低器件开启电压的基础上，进一步减小器件反向漏电流，改善器件表面电场分布，提高反向击穿电压，从而提高器件工作性能。