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一种延续单一生长中心制备碳化硅单晶的方法

基本信息

申请号 CN201910900730.X 申请日 -
公开（公告）号 CN110670123B 公开（公告）日 2021-03-26
申请公布号 CN110670123B 申请公布日 2021-03-26
分类号 C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 张福生;杨昆;刘新辉;牛晓龙;路亚娟;尚远航;李永超 申请（专利权）人 河北同光半导体股份有限公司
代理机构 北京盛询知识产权代理有限公司 代理人 张海青
地址 071000 河北省保定市北三环6001号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种延续单一生长中心制备碳化硅单晶的方法，属于晶体生长领域。本发明通过选择具有单一生长中心的碳化硅单晶生长前沿作为下次生长的籽晶，可以有效地避免生长初期出现的多核生长现象，经过多次延续单一生长中心后，碳化硅单晶中的成对反向螺位错会发生聚并湮灭，从而可以降低单晶中的内部缺陷密度。通过本发明方法，能够获得质量越来越好的低缺陷密度碳化硅晶体。本发明制备的碳化硅单晶可以更好地应用在航天、航空、航母等国防军工领域，也可广泛地应用在工业自动化、新能源汽车、家电、5G通讯等民用领域。