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一种基于高纯半绝缘碳化硅衬底制备周期性pn结石墨烯的方法

基本信息

申请号 CN202010713285.9 申请日 -
公开（公告）号 CN111874891B 公开（公告）日 2021-11-16
申请公布号 CN111874891B 申请公布日 2021-11-16
分类号 C01B32/184（2017.01）I;H01L31/028（2006.01）I;H01L31/103（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I 分类 无机化学;
发明人 张福生;杨昆;路亚娟;刘新辉;牛晓龙;崔景光;尚远航 申请（专利权）人 河北同光半导体股份有限公司
代理机构 北京盛询知识产权代理有限公司 代理人 刘静
地址 071000 河北省保定市北三环6001号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种基于高纯半绝缘碳化硅衬底制备周期性pn结石墨烯的方法，属于微电子材料技术领域。本发明采用热解碳化硅制备石墨烯的方法，首先利用氢刻蚀的方法在碳化硅衬底表面刻蚀出规则的台阶，再在刻蚀后的碳化硅硅面生长出单层石墨烯条带和缓冲层结构交替的结构。最后通过氢钝化技术将原有的缓冲层结构转变为p型导电的石墨烯，而原有单层石墨烯仍保持为n型导电。从而就可以制备出周期性pn结石墨烯。本发明方法制备的高品质周期性pn结石墨烯，可以广泛地应用在增强型光电探测器、光敏元件以及逻辑运算场效应晶体管等信息电子器件领域。