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一种基于可控生长中心制备碳化硅单晶的方法

基本信息

申请号 CN201910881831.7 申请日 -
公开（公告）号 CN110656376B 公开（公告）日 2021-02-26
申请公布号 CN110656376B 申请公布日 2021-02-26
分类号 C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 张福生;杨昆;路亚娟;刘新辉;牛晓龙;崔景光;尚远航 申请（专利权）人 河北同光半导体股份有限公司
代理机构 北京盛询知识产权代理有限公司 代理人 张海青
地址 071000 河北省保定市北三环6001号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种基于可控生长中心制备碳化硅单晶的方法，属于晶体生长领域。本发明通过在粉料和生长腔室内放置偏向的生长组分导流装置来调控生长组分流的传输方向和输运组分流密度，优先形成一条狭长的生长中心小面并保持一直处于生长面边缘位置，从而使得所需单晶直径内维持均衡的台阶流生长模式，并可完整地维持籽晶的晶型，最终能够获得单一晶型高质量的碳化硅晶体。本发明方法制备的高质量碳化硅单晶，可广泛地应用在新能源电动汽车、机车牵引、工业自动化、不间断电源、大功率充电桩以及能源互联网等电力电子领域。