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用于解决碳化硅晶圆化学机械抛光后产生局部高点的方法、陶瓷盘、化学机械抛光装置

基本信息

申请号 CN202110988094.8 申请日 -
公开（公告）号 CN113681456A 公开（公告）日 2021-11-23
申请公布号 CN113681456A 申请公布日 2021-11-23
分类号 B24B37/10;B24B37/30;H01L21/02;H01L21/67 分类 磨削；抛光;
发明人 刘少华;李坤宁;杨兴娇;李雪涛;赵焕君;崔景光 申请（专利权）人 河北同光半导体股份有限公司
代理机构 北京连城创新知识产权代理有限公司 代理人 许莉
地址 071051 河北省保定市北三环6001号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种用于解决碳化硅晶圆化学机械抛光后产生局部高点的方法、一种陶瓷盘及应用其的化学机械抛光装置，涉及碳化硅晶圆加工技术领域，通过改变陶瓷盘贴片区域的形状来达到改变晶圆局部受力分布，从而研磨去除掉晶圆局部高点。本发明所述的用于解决碳化硅晶圆化学机械抛光后产生局部高点的方法，通过车床将陶瓷盘的贴片区域车成与晶圆形状一致的凹形曲面，且从圆形的贴片区域的边缘向中心逐渐下凹1~10um，以使设备的压力部件施加压力到陶瓷盘时，贴片区域的边缘区域压力比中心区域压力高。