碳化硅晶体的切割方法
基本信息
| 申请号 | CN202110646302.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113334592A | 公开（公告）日 | 2021-09-03 |
| 申请公布号 | CN113334592A | 申请公布日 | 2021-09-03 |
| 分类号 | B28D5/00（2006.01）I;B28D5/04（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I;C30B33/00（2006.01）I;C30B33/02（2006.01）I | 分类 | 加工水泥、黏土或石料; |
| 发明人 | 牛晓龙;杨昆;路亚娟;刘新辉;董永洋;周浩 | 申请（专利权）人 | 河北同光半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京连城创新知识产权代理有限公司 | 代理人 | 许莉 |
| 地址 | 071051河北省保定市北三环6001号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种碳化硅晶体的切割方法，涉及碳化硅晶体技术领域，用于解决现有的碳化硅切割方法成本高、效率低且切割面粗糙的技术问题。本发明所述的碳化硅晶体的切割方法，包括以下步骤：根据具体的碳化硅晶体的晶体结构确定该晶体的解理方向或解理面；根据需要加工碳化硅晶体样品的尺寸和形状，确定需要切割的轨迹；采用特定的加工工艺，在确定的轨迹上制作出一定深度的凹槽；在已制作出的凹槽位置施加作用力，或对碳化硅晶体进行快速热处理，使碳化硅晶体沿凹槽完全开裂，得到具有光滑平整断面的小块碳化硅单晶体。 |
