一种高纯石墨坩埚及高质量碳化硅单晶制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910350037.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110055587B | 公开（公告）日 | 2021-02-26 |
| 申请公布号 | CN110055587B | 申请公布日 | 2021-02-26 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 路亚娟;刘新辉;牛晓龙;张福生;杨昆 | 申请（专利权）人 | 河北同光半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京盛询知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张海青 |
| 地址 | 071000 河北省保定市北三环6001号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种高纯石墨坩埚及高质量碳化硅单晶制备方法，属于晶体生长领域。本发明中通过高纯石墨坩埚、碳化硅粉料和生长工艺相结合使得长晶过程原料表面能形成较大碳化硅结晶圆饼来阻挡坩埚底部原料的碳颗粒输运，简便、高效的降低碳化硅单晶生长过程中的碳粒子包裹体。 |
