一种多能量耦合等离子体化学气相沉积法制备金刚石的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110574739.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113025990A | 公开（公告）日 | 2021-08-27 |
| 申请公布号 | CN113025990A | 申请公布日 | 2021-08-27 |
| 分类号 | C23C16/27;C23C16/517;C23C16/52 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 王涛;魏远征;张雪梅;王箫;徐念;胡常青;赵建海 | 申请（专利权）人 | 苏州香榭轩表面工程技术咨询有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 汪青;周敏 |
| 地址 | 215100 江苏省苏州市吴中区郭巷街道尹丰路39号1幢4层408室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种多能量耦合等离子体化学气相沉积法制备金刚石的方法，所述等离子体化学气相沉积法采用热丝、脉冲偏压电源和旋转磁场耦合作为复合能量源，热丝用于激发含碳气体产生初级等离子体，脉冲偏压用于对热丝产生的初级等离子体施加电场，使初级等离子体在电场的耦合作用下拉伸并形成覆盖区域更广的二级等离子体，旋转磁场作用于金刚石沉积基片的表面区域，将所述二级等离子体中的粒子能量进一步均化耦合，并提高等离子体中能够形成SP3的碳结构的粒子比例。本发明方法不仅能够稳定获得高质量的金刚石，而且对于沉积条件及工艺参数的控制要求相对较低，方法易于控制，调控宽容度高、适用面广，特别适于金刚石的工业化生产。 |
