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一种高纯硫酸的连续生产方法

基本信息

申请号 CN202011586083.9 申请日 -
公开（公告）号 CN112279220A 公开（公告）日 2021-03-23
申请公布号 CN112279220A 申请公布日 2021-03-23
分类号 C01B17/90 分类 无机化学;
发明人 王涛;王箫;赵继舟;张雪梅;徐念;徐刚;徐浩;刘松 申请（专利权）人 苏州香榭轩表面工程技术咨询有限公司
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 代理人 汪青;向亚兰
地址 215000 江苏省苏州市吴中区郭巷街道尹丰路39号1幢4层408室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种高纯硫酸的连续生产方法，包括依次进行的发烟硫酸的解析工序、三氧化硫的精制工序、三氧化硫的吸收工序以及真空等离子体脱二氧化硫工序，通过解析获得二氧化硫含量低于0.4%的三氧化硫，通过精制使其中单项金属阳离子含量低于5ppt、二氧化硫低于20ppm；在脱二氧化硫工序中，采用装有填料并配备等离子激发装置的脱气塔，将硫酸自上而下通过脱气塔，使硫酸在填料表面形成降膜，同时自下而上通入氧气和使脱气塔内形成氧‑二氧化硫等离子体，最终获得高纯硫酸。本发明生产效率高，能耗低，污染物排放少、工艺稳定性和安全性好，产品质量稳定，产品品质好，可用于高集成度芯片的清洗和刻蚀。