半导体结构、自退火芯片及半导体结构的制作方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

半导体结构、自退火芯片及半导体结构的制作方法

基本信息

申请号	CN202110451988.3	申请日	-
公开（公告）号	CN113192907A	公开（公告）日	2021-07-30
申请公布号	CN113192907A	申请公布日	2021-07-30
分类号	H01L23/34;H01L29/78;H01L21/336	分类	基本电气元件;
发明人	张葳;张薇;邢康伟;朱恒宇	申请（专利权）人	北京锐达芯集成电路设计有限责任公司
代理机构	北京成创同维知识产权代理有限公司	代理人	蔡纯;李镇江
地址	102600 北京市大兴区经济技术开发区科创十四街99号33幢D栋二层2192号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种半导体结构、自退火芯片及半导体结构的制作方法，该半导体结构包括：在激励信号输入端与参考地之间串联连接的N型MOSFET和发热元件，其中，N型MOSFET的栅极接收偏置电压，N型MOSFET在受到外部辐射时阈值电压减小并在减小至小于或等于偏置电压的情况下导通从而控制发热元件进行发热，在加热过程中自退火恢复并在恢复至大于偏置电压的情况下关断从而控制发热元件停止发热；发热元件位于N型MOSFET上部层面的介质层中，并且经由布线层与N型MOSFET的源极连接。该半导体结构中发热元件的可设置区域不受限制，布置灵活，同时该半导体结构能够根据N型MOSFET的阈值电压的漂移情况自动的启动/关闭热退火处理功能，有效保证了热退火处理的实时性和准确性。