自退火芯片及自退火系统
基本信息
| 申请号 | CN202110451990.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113192908A | 公开（公告）日 | 2021-07-30 |
| 申请公布号 | CN113192908A | 申请公布日 | 2021-07-30 |
| 分类号 | H01L23/34 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张葳;邢康伟;张薇;朱恒宇 | 申请（专利权）人 | 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蔡纯;李镇江 |
| 地址 | 102600 北京市大兴区经济技术开发区科创十四街99号33幢D栋二层2192号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种自退火芯片及自退火系统，该自退火芯片包括控制模块和加热模块，控制模块包括PMOS总剂量辐射探头，其中，PMOS总剂量辐射探头在受到外部辐射时阈值电压减小；控制模块用于接收参考电压，并在阈值电压减小至小于或等于参考电压的情况下输出第一控制信号从而控制加热模块进行发热；在加热过程中阈值电压经退火后恢复；控制模块还用于在阈值电压恢复至大于参考电压的情况下输出第二控制信号从而控制加热模块停止发热。该自退火芯片具有很好的抗总剂量辐射能力，且能够根据PMOS总剂量辐射探头的阈值电压的漂移情况自动的启动/关闭热退火处理功能，有效的保证了对自退火芯片以及待保护芯片热退火处理的实时性和准确性。 |
