一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法
基本信息
| 申请号 | CN202010357713.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113564689A | 公开（公告）日 | 2021-10-29 |
| 申请公布号 | CN113564689A | 申请公布日 | 2021-10-29 |
| 分类号 | C30B11/00（2006.01）I;C30B11/14（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 何亮;何新根;雷琦;毛伟;徐云飞;周成;罗鸿志;程小娟;邹贵付;甘胜泉;陈仙辉 | 申请（专利权）人 | 赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 熊永强 |
| 地址 | 338000江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种铸造类单晶用籽晶的重复利用方法，包括：（1）将类单晶硅锭的开方尺寸相同的单晶硅籽晶拼接铺设在坩埚底部，形成籽晶层；并利用该籽晶层制得类单晶硅锭；（2）将类单晶硅锭的底面朝上，将底面上的籽晶拼接缝用缝隙标记线标出，并使其延伸至类单晶硅锭的四个侧面；对类单晶硅锭开方得到多个第一硅块，且在开方前使开方钢线与籽晶拼接缝对齐，将第一硅块对应坩埚底部和开口的两个端面打磨平整后，再切割掉其上的籽晶区域，得到回收后的多块单晶硅籽晶，并标记每块的类型；（3）将步骤（2）得到的籽晶按步骤（1）的方法进行再利用。该方法可实现籽晶的多次高质量重复利用，降低了铸造类单晶的籽晶成本。 |
