铸锭炉、铸锭晶体硅及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110203351.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114045553A | 公开（公告）日 | 2022-02-15 |
| 申请公布号 | CN114045553A | 申请公布日 | 2022-02-15 |
| 分类号 | C30B11/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 罗鸿志;何亮;张细根;李建敏;程小娟;邹贵付;张发年;饶森林;甘胜泉 | 申请（专利权）人 | 赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司 |
| 代理机构 | 南昌逸辰知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘阳阳 |
| 地址 | 338000江西省新余市高新技术产业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种铸锭炉、铸锭晶体硅及其制备方法，铸锭炉包括炉体顶部，中部和底部，炉体内部为炉腔，炉腔内设有隔热笼，隔热笼内设有保温组件，保温组件由护板和底板形成一个容纳空间承载坩埚，保温组件还包括封盖在坩埚上的盖板，其中，炉体中部开设有第一排气口，第一排气管路适于与第一排气口连通，通往炉腔与隔热笼形成的第一空间内；炉体顶部或炉体底部开设有第二排气口，第二排气管路适于与第二排气口连通，通往炉腔与隔热笼形成的第二空间内；排气管路外部连接真空装置，第二排气管路与第一排气管路外部连通；第一排气管路上设有第一阀门，单独控制第一排气口的排气比例；第二排气管路上设有第二阀门，单独控制第二排气口的排气比例。 |
