铸锭单晶硅块的质量判定方法和铸锭单晶硅块
基本信息
| 申请号 | CN202110976805.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113758905A | 公开（公告）日 | 2021-12-07 |
| 申请公布号 | CN113758905A | 申请公布日 | 2021-12-07 |
| 分类号 | G01N21/63（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;C30B15/00（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 罗鸿志;何亮;李建敏;张细根;范立峰;徐云飞;甘胜泉 | 申请（专利权）人 | 赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司 |
| 代理机构 | 南昌逸辰知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 董会明 |
| 地址 | 338000江西省新余市新余高新技术产业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种铸锭单晶硅块的质量判定方法和铸锭单晶硅块，其步骤包括：（1）将铸锭单晶硅块的头部统一去除30‑60mm左右；（2）利用光致发光测试仪测量铸锭单晶硅块的头部端面的光致发光测试图片，并计算得到光致发光测试图片的黑丝面积比例值DS；（3）测量并计算铸锭单晶硅块的端面面积S；（4）建立黑丝生长计算模型，确定硅块去除长度L与预设端面黑丝面积比例值DL的关系式L（DL,⍺），其中，⍺为位错生长角度；（5）根据预设端面黑丝面积比例值DL和关系式L（DL,⍺），计算得到硅块去除长度L的值；（6）根据硅块去除长度L的值进行铸锭单晶硅块的头部去除。该方法通过将光致发光测试结合铸锭单晶硅锭的生长特性，提出一种全新的铸锭单晶硅块头部不同黑丝比例的去除方式。 |
