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一种高频快恢复二极管及其制造方法

基本信息

申请号 CN201711465726.2 申请日 -
公开（公告）号 CN108183135A 公开（公告）日 2018-06-19
申请公布号 CN108183135A 申请公布日 2018-06-19
分类号 H01L29/868;H01L21/329;H01L29/06 分类 基本电气元件;
发明人 王兴龙;王利军;邓令;刘章利 申请（专利权）人 重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司
代理机构 重庆市前沿专利事务所（普通合伙） 代理人 重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司
地址 405200 重庆市梁平区梁山镇皂角村(双桂工业园区)
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种高频快恢复二极管，该二极管在衬底层上设置有与衬底层导电类型相同的外延层，在外延层上设置有M个扩散环，扩散环的导电类型与外延层的导电类型相反，在同一BSIT结构扩散环的相邻环之间的外延层上设置有与外延层导电类型相同的掺杂层，掺杂层横向延伸入相应扩散环内部一定距离，在掺杂层之上设置有第一金属层形成肖特基势垒；在形成的器件表面垫积绝缘保护层，绝缘保护层上设置有贯通至第一金属层和扩散环的金属接触孔，在绝缘保护层上设置有正面金属层；在衬底层之下设置有背面金属层。本发明能够降低正向电压导通时的损耗，大幅度降低反向漏电，以及大幅度提高反向耐压。