共阳极肖特基半导体的封装工艺
基本信息
| 申请号 | CN201610006518.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105609483B | 公开（公告）日 | 2018-08-21 |
| 申请公布号 | CN105609483B | 申请公布日 | 2018-08-21 |
| 分类号 | H01L23/495 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 马红强;王兴龙;王强 | 申请（专利权）人 | 重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司 |
| 代理机构 | 重庆市前沿专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 重庆平伟实业股份有限公司;重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司 |
| 地址 | 405200 重庆市梁平县梁山镇皂角村双桂工业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种共阳极肖特基半导体的封装工艺，包括以下步骤：(A)使用绝缘陶瓷烧结粘合工艺完成双载体部分与散热片部分的粘合；(B)使用高导热软焊料芯片焊接工艺完成上芯；(C)通过焊线键合共联技术，将芯片阳极与框架阳极通过导线相连并完成导线压焊；(D)塑封、去溢料、电镀、切筋分粒成型、测试及包装。使用普通肖特基芯片，采用双载体部分和散热片部分加陶瓷绝缘的方法，实现了散热片与阴极绝缘，双基岛式载体区实现阴极分离，阳极共用；利用现有设备，普通芯片实现了共阳极封装，满足了市场需求，降低了生产成本，使产品可靠性得到保障，解决了普通肖特基芯片难以实现共阳极封装的难题。 |
