一种高频高压二极管及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201711465730.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108155105A | 公开（公告）日 | 2018-06-12 |
| 申请公布号 | CN108155105A | 申请公布日 | 2018-06-12 |
| 分类号 | H01L21/50;H01L23/31;H01L23/535 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王兴龙;王利军;邓令;刘章利 | 申请（专利权）人 | 重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司 |
| 代理机构 | 重庆市前沿专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 重庆平伟伏特集成电路封测应用产业研究院有限公司 |
| 地址 | 405200 重庆市梁平区梁山镇皂角村(双桂工业园区) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高频高压二极管及其制作方法，该二极管包括X个二极管芯片和Y个肖特基芯片，X、Y均为正整数；所有二极管芯片和肖特基芯片相互之间串联且导电方向相同；还包括将二极管芯片和肖特基芯片包围的塑封层和外伸的引线。本发明具有高反压和极快开关的特点。 |
