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一种薄膜体声波谐振器

基本信息

申请号 CN202010128263.6 申请日 -
公开（公告）号 CN111490748A 公开（公告）日 2020-08-04
申请公布号 CN111490748A 申请公布日 2020-08-04
分类号 H03H9/17(2006.01)I 分类 基本电子电路;
发明人 孙成亮;刘炎;蔡耀;邹杨;高超 申请（专利权）人 武汉敏声新技术有限公司
代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 代理人 武汉大学;武汉敏声新技术有限公司
地址 430072湖北省武汉市武昌区八一路299号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种薄膜体声波谐振器，包括：上电极、压电层、下电极、上温度补偿层、中温度补偿层和下温度补偿层；上、中、下温度补偿层内嵌于上电极、压电层和下电极中；上、中、下温度补偿层由分别由任意形状的柱形结构组成；其中，柱形结构呈周期性分布，形成上、中、下散射体；上、中、下温度补偿层的散射体结构与分别与上电极、压电层、下电极构成上、中、下声子晶体结构。本发明通过嵌入多层温度补偿结构，可以与压电层形成多层声子晶体结构，一方面可以改变谐振器的温度频率系数，实现频率随温度的零漂移；另一方面，声子晶体结构能够在特定工作频率范围内对杂波进行屏蔽和抑制，可以大大提高谐振器的Q值。