一种压电式传感器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010008412.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111174951A | 公开（公告）日 | 2020-05-19 |
| 申请公布号 | CN111174951A | 申请公布日 | 2020-05-19 |
| 分类号 | G01L1/16;G01L9/08;B81B7/02;B81B7/00;B81B3/00;B81C1/00 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 孙成亮;胡博豪;刘婕妤;林炳辉;谢英 | 申请（专利权）人 | 武汉敏声新技术有限公司 |
| 代理机构 | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人 | 武汉大学 |
| 地址 | 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了一种压电式传感器及其制备方法，所述压电式传感器包括：基板、多个压电悬臂梁、固定柱；基板带有多个空腔；压电悬臂梁为双晶片结构，或者由单晶片结构和支撑层组成，压电悬臂梁的自由端面积大于固定端面积；固定柱设置在基板中心用于固定压电悬臂梁。本发明提供的压电式传感器通过提出一种新的压电悬臂梁的结构形式，结合带有特定形状和深度空腔的衬底，可显著提升传感器灵敏度等性能。所述压电式传感器的制备方法，包括：带有空腔衬底的加工，衬底之上压电悬臂梁中支撑层和压电叠层的沉积和刻蚀。所述制备方法，工艺简单，兼容性强，适用于包含各类压电材料和各类衬底的压电式传感器加工。 |
