一种薄膜体声波谐振器及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110572586.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113328722A | 公开（公告）日 | 2021-08-31 |
| 申请公布号 | CN113328722A | 申请公布日 | 2021-08-31 |
| 分类号 | H03H9/17（2006.01）I;H03H9/02（2006.01）I;H03H3/02（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 孙成亮;高超;邹杨 | 申请（专利权）人 | 武汉敏声新技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京高沃律师事务所 | 代理人 | 王爱涛 |
| 地址 | 430070湖北省武汉市洪山区武汉大学中部创意大厦1803 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种薄膜体声波谐振器及制备方法。该谐振器包括：包括：衬底、种子层、下电极层、压电薄膜层以及上电极层；所述衬底的上表面刻蚀出空腔；所述种子层、所述下电极层、所述压电薄膜层以及所述上电极层依次沉积在所述衬底上表面；在所述压电薄膜层的有效区域的边界的设定范围刻蚀形成沟槽；所述有效区域为所述种子层、所述下电极层、所述压电薄膜层以及所述上电极层重合的区域。本发明所提供的一种薄膜体声波谐振器及制备方法，能够有效的提高薄膜体声波谐振器的机电耦合系数。 |
