硅基异质接面太阳能电池及其制程方法
基本信息
| 申请号 | CN201610334675.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107403852A | 公开（公告）日 | 2017-11-28 |
| 申请公布号 | CN107403852A | 申请公布日 | 2017-11-28 |
| 分类号 | H01L31/074(2012.01)I;H01L31/20(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张金隆;杨茹媛;陈坤贤 | 申请（专利权）人 | 盐城金合盛光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人 | 盐城金合盛光电科技有限公司 |
| 地址 | 224799 江苏省盐城市建湖县开发区北京路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种硅基异质接面太阳能电池及其制程方法。硅基异质接面太阳能电池，包含：一硅基PN接面结构，具有两个相对表面，其中硅基PN接面结构是由一P型半导体层与一N型半导体基板所组成，N型半导体基板具有一第一糙化表面以及一第二糙化表面，且P型半导体层的能隙不同于N型半导体基板的能隙；其中，第一糙化表面以及第二糙化表面以经由一异向性蚀刻，以形成具有凹凸的一金字塔纹理化结构，金字塔纹理化结构的金字塔宽度在5微米至15微米之间，且金字塔锥顶高度在于4微米至10微米之间。借由无异丙醇的变温纹理化碱蚀刻，该硅基异质接面太阳能电池能具有高质量的纹理结构，改善其电流特性及提升光电转换效率的特性。 |
