多量子阱半导体激光器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201210275276.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102801108B | 公开（公告）日 | 2015-06-24 |
| 申请公布号 | CN102801108B | 申请公布日 | 2015-06-24 |
| 分类号 | H01S5/34(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张普;刘兴胜;熊玲玲;王贞福;刘晖;聂志强 | 申请（专利权）人 | 西安中科光机投资控股有限公司 |
| 代理机构 | 西安智邦专利商标代理有限公司 | 代理人 | 西安立芯光电科技有限公司 |
| 地址 | 710119 陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号光机所10号楼三层301室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种多量子阱半导体激光器及其制备方法，以提高多量子阱半导体激光器的散热效率，实现大功率、高可靠的激光输出。该多量子阱半导体激光器，包括多个量子阱层以及设置于各量子阱层之间的势垒层，其特殊之处在于：每个量子阱层设置有一个或多个发光区，相邻量子阱层的发光区相互错开。本发明采用量子阱层发光区相互交错的方式，降低了有源区热串扰，减小了系统热阻；可实现激光大功率输出。 |
