具有双面散热结构的半导体器件及封装器具、封装方法

基本信息

申请号 CN201911174967.0 申请日 -
公开(公告)号 CN110993511B 公开(公告)日 2021-10-12
申请公布号 CN110993511B 申请公布日 2021-10-12
分类号 H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 陈肖瑾;姜峰;朱正宇;邢卫兵 申请(专利权)人 通富微电子股份有限公司技术研发分公司
代理机构 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 郭栋梁
地址 226000江苏省南通市开发区广州路42号337室
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了一种具有双面散热结构的半导体器件及封装器具、封装方法,由于在设置半导体的散热结构时要经过多次回流焊,回流焊使散热板发生翘曲,在封装的过程中会在散热表面翘曲的位置产生溢料,溢料会影响散热板的散热,需要去除,增加了生产的成本,本申请通过对扣设置的第一挡墙和第二挡墙,第一挡墙的侧壁形成有至少一个第一凸台,第二挡墙的侧壁上形成有至少一个第二凸台,还包括注胶孔、排气孔、第一盖板和第二盖板;通过第一盖板和第二盖板与第一凸台和第二凸台的配合,抑制了散热板的翘曲,使第一第二盖板与散热板紧密接触,防止在封装的过程中在散热板的散热表面产生溢料,减少了去除溢料的工序。