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一种高压LED芯片的深刻蚀方法

基本信息

申请号 CN202011163378.5 申请日 -
公开（公告）号 CN112349818B 公开（公告）日 2022-02-22
申请公布号 CN112349818B 申请公布日 2022-02-22
分类号 H01L33/08（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 黄斌斌;罗坤;李永同;李运军;刘兆 申请（专利权）人 江西乾照光电有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 李晓光
地址 330103江西省南昌市新建区望城新区宁远大街1288号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种高压LED芯片的深刻蚀方法，采用两次匀胶两次曝光两次显影等操作之后，以具有所述预设角度斜面的正性光刻胶为掩膜，对所述高压LED芯片的桥接处和所述切割道进行深刻蚀处理，以及以具有垂直面的负性光刻胶为掩膜，对所述高压LED芯片的非桥接处同时进行深刻蚀处理。实现了一次深刻蚀出不同角度和不同线宽的隔离沟槽，以及在不改变切割道宽度的情况下实现全刻开处理，且具有一定的倒角，从而有效增加了高压LED芯片的发光面积占比，增加芯片的出光效率以及COW无需设置特殊测试芯片。