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一种LED芯片及其制备方法

基本信息

申请号 CN202110663071.X 申请日 -
公开（公告）号 CN113555485A 公开（公告）日 2021-10-26
申请公布号 CN113555485A 申请公布日 2021-10-26
分类号 H01L33/46（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 叶佩青;刘英策;翁启伟;陈亮;刘兆 申请（专利权）人 江西乾照光电有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 尹秀
地址 330103江西省南昌市新建区望城新区宁远大街1288号
法律状态 -

摘要

摘要 本申请实施例公开了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括：衬底；位于衬底表面的发光结构；位于发光结构的第一型半导体层表面上的第一电极；位于发光结构的第二型半导体层表面上的第二电极，且第二电极朝向第二型半导体层的表面包括第一区域和第二区域，第二区域包围第一区域，其中，第一区域与第二型半导体层的表面接触，第二区域和第二型半导体层表面之间存在间隙；以及至少部分位于该间隙内的布拉格反射层。可见，在该LED芯片中，当发光结构发出的光射向第二电极时，可以被位于第二电极和第二型半导体层之间的布拉格反射层所反射，从而提高第二电极对光的反射，降低第二电极对光的吸收和遮挡，进而提高LED芯片的光效。