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一种量子阱结构、LED芯片及制作方法

基本信息

申请号 CN202111462290.8 申请日 -
公开（公告）号 CN114156382A 公开（公告）日 2022-03-08
申请公布号 CN114156382A 申请公布日 2022-03-08
分类号 H01L33/06（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 聂虎臣;崔晓慧;霍丽艳;刘兆 申请（专利权）人 江西乾照光电有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 张珊珊
地址 330103江西省南昌市新建区望城新区宁远大街1288号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种量子阱结构、LED芯片及制作方法，该量子阱结构包括了多个量子阱叠层，该量子阱叠层包括了InyGa1‑yN层、超晶格治疗层、以及GaN层，其中超晶格治疗层又包括了InN层、以及InxGa1‑xN层。由于InN层、以及InxGa1‑xN层中In的迁移率偏高，能有效补偿量子阱结构的InyGa1‑yN层中受热分解的InN空位，修复InyGa1‑yN层的晶格缺陷，同时改善InyGa1‑yN层中In的偏析和富集现象，使得In的组分分布均匀，为后续的GaN生长提供了一个质量良好且清晰的界面，减少了InyGa1‑yN层和GaN层由于晶格失配产生的应力，从而提升了波长均匀性和内量子效率。