一种LED外延结构及其制备方法和LED芯片
基本信息
| 申请号 | CN202111106644.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114122200A | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN114122200A | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | H01L33/00（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 崔晓慧;谢祥彬;霍丽艳;刘兆 | 申请（专利权）人 | 江西乾照光电有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 林哲生 |
| 地址 | 330103江西省南昌市新建区望城新区宁远大街1288号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法和LED芯片，通过第一缓冲层释放应力的同时，能够通过相变层减小发光外延生长过程中衬底与第一导电类型半导体层之间界面自由能来促进横向生长；同时还能够通过第二缓冲层的生长来降低缺陷密度，最终提高了LED外延结构的晶体生长质量，进而能够提高LED芯片的内量子效率，改善LED外延结构的漏电情况。 |
