半导体电子致冷装置专用蒸发腔及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN200510012534.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN100344918C | 公开（公告）日 | 2007-10-24 |
| 申请公布号 | CN100344918C | 申请公布日 | 2007-10-24 |
| 分类号 | F25B21/02(2006.01);F28D15/02(2006.01) | 分类 | 制冷或冷却；加热和制冷的联合系统；热泵系统；冰的制造或储存；气体的液化或固化; |
| 发明人 | 王双玲 | 申请（专利权）人 | 河北信息产业投资集团有限公司 |
| 代理机构 | 石家庄科诚专利事务所 | 代理人 | 王双玲;鹿泉吉威电器有限责任公司 |
| 地址 | 050011河北省石家庄市范西路18号5栋1单元501号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于半导体电子致冷及传热领域，特别是指一种与半导体电子致冷装置配套使用的蒸发腔及其制备方法。包括与热管两端连通的密闭蒸发腔，蒸发腔为一内部开设有闭合管道或毛细微隙的实体结构，闭合管道或毛细微隙上开设有开口，该开口与热管在蒸发腔表面的开口连通。蒸发腔的制作材料选用高导热系数的有色金属，选用挤出、压铸、机加、浇铸工艺成型。本发明解决了现有技术存在的蒸发腔的结构强度差，使蒸发腔的贴合面在工作压力较大的情况下易变形，进而增加贴合面的接触热阻导致传热效率低；制作工艺复杂，传热效率低，密封性差等技术缺陷，具有蒸发腔整体结构强度高，不易变形，制造成本低；导热面积大，产品密封性好，性能稳定等优点。 |
