首页/ 国家集成电路产业投资基金股份有限公司/ 专利详情

一种集成于片上系统的CMOS 射频功率放大器

基本信息

申请号 CN201310724049.7 申请日 -
公开（公告）号 CN103762948B 公开（公告）日 2016-09-28
申请公布号 CN103762948B 申请公布日 2016-09-28
分类号 H03F1/30(2006.01)I;H03F1/02(2006.01)I;H03F3/189(2006.01)I;H03F3/20(2006.01)I 分类 基本电子电路;
发明人 黄志忠;卫秦啸;苏杰 申请（专利权）人 国家集成电路产业投资基金股份有限公司
代理机构 上海光华专利事务所 代理人 李仪萍
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区松涛路560号张江大厦20A
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种集成于片上系统的CMOS射频功率放大器，所述功率放大器集成于片上系统SOC中，实现输出信号功率放大的功能；所述功率放大器包括偏置电路、第一级放大电路、第二级放大电路及输出匹配电路。本发明的功率放大器采用CMOS工艺实现，很好地集成到SOC芯片中，因此能够单芯片实现功率控制和脉宽调制（PWM）；与以往分立元件或者III?V族化合物半导体实现的功率放大器相比，本发明的功率放大器具有双重功率可调，不需要单独的外部控制芯片，大大节省了应用系统的成本，更方便了系统的调试；并且本发明的功率放大器具有多频段输出功率可调，可以广泛运用在从10MHz到1GHz范围内的多种应用中。