一种在人工反铁磁结构上利用低电压调控RKKY的方法
基本信息
| 申请号 | CN201911072262.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111103519A | 公开（公告）日 | 2020-05-05 |
| 申请公布号 | CN111103519A | 申请公布日 | 2020-05-05 |
| 分类号 | G01R31/26;G01R33/14;H01L43/10;H01L43/12 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 张晓慧;周子尧;胡忠强;张瑶 | 申请（专利权）人 | 西安科汇电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人 | 姚咏华 |
| 地址 | 710075 陕西省西安市高新区高新二路12号协同大厦后楼5层1505 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种在人工反铁磁结构上利用低电压调控RKKY的方法，包括：在柔性衬底上依次生长Ta层和人工反铁磁结构，改变非磁性层的厚度，非磁性层厚度的变化使得材料在铁磁层与反铁磁层之间转化，观测其厚度依赖特性；对在柔性衬底上生长的Ta层、人工反铁磁结构上做应力测试，对不同曲率下的材料测试磁滞回线并观察其回复性；用离子液体对Si衬底上的材料加电压(≤4V)调控，对柔性衬底上的材料在不同曲率下加电压调控，并观测磁滞回线的变化。该方案成功实现了人工反铁磁体在电压调控下铁磁、反铁磁状态的改变以及单、双、三电滞回线的转换，同时保持了良好的回复性。 |
