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一种基于AMR效应的传感器结构及其制作方法

基本信息

申请号 CN201811259314.8 申请日 -
公开（公告）号 CN109599484A 公开（公告）日 2019-04-09
申请公布号 CN109599484A 申请公布日 2019-04-09
分类号 H01L43/02（2006.01）I; H01L43/12（2006.01）I; G01R33/09（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 周子尧; 苏玮; 张晓慧; 刘明; 胡忠强; 关蒙萌 申请（专利权）人 西安科汇电子科技有限公司
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 代理人 姚咏华
地址 710075 陕西省西安市高新区高新二路12号协同大厦后楼5层1505
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种AMR传感器结构及其制作方法，包括基底，沉积在基底上的若干平行的磁阻条，连接磁阻条的惠斯通电桥结构，以及均匀覆盖于磁阻条上的若干巴贝电极；基底设在两对相对设置的一级电极之间，在衬底两侧对称分布有二级电极，磁阻条设在二级电极之间，巴贝电极平行倾斜分布在二级电极与磁阻条之间；在二级电极两端部设有功能层。该传感器可以获得更大的变化率，同时可以有效提高传感器的灵敏度，有效的提高了器件的工作效率和应用范围。