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垂直腔面发射激光器阵列及改善其该阵列性能的方法

基本信息

申请号 CN202111076805.0 申请日 -
公开（公告）号 CN113629489A 公开（公告）日 2021-11-09
申请公布号 CN113629489A 申请公布日 2021-11-09
分类号 H01S5/183（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 李浩 申请（专利权）人 无锡神州高芯科技有限公司
代理机构 北京久维律师事务所 代理人 胡留华
地址 214101江苏省无锡市锡山区二泉东路19号集智商务广场2101-B1
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器阵列及改善其该阵列性能的方法，属于垂直腔面发射激光器技术领域。解决了现有技术存在的功率转换效率、输出功率和出光均匀性较差的技术问题。该垂直腔面发射激光器阵列，包括半导体层及形成于一个半导体层上的若干阵列单元，每个阵列单元均存在氧化沟槽、台面、环以及出光面，出光面存在有电极，台面中设有氧化层，氧化层内存在出光孔，阵列单元中至少部分阵列单元的氧化沟槽、台面、环、电极四者中的任意一者或多者的形状为不规则形状以使出光孔的形成不规则形状，至少一部分阵列单元中不同的阵列单元的出光孔的形状彼此不同。本发明用于提高垂直腔面发射激光器阵列的功率转换效率、输出功率和出光均匀性。