CMOS结构、半导体芯片及电子装置
基本信息
| 申请号 | CN202120286193.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214411166U | 公开（公告）日 | 2021-10-15 |
| 申请公布号 | CN214411166U | 申请公布日 | 2021-10-15 |
| 分类号 | H01L21/762（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 曹进伟;陈孟邦;卢玉玲;邹云根;蔡文前;张丹丹;肖敏;陈航强;林丽菲 | 申请（专利权）人 | 宗仁科技（平潭）股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 夏智海 |
| 地址 | 350400福建省福州市北厝镇金井湾二路台湾创业园9号楼2层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及半导体技术领域，提供一种CMOS结构、半导体芯片及电子装置，CMOS结构包括：第一金属层；介质层，介质层形成于第一金属层上；以及第二金属层，第二金属层形成于介质层上，第二金属层具有刻蚀槽，刻蚀槽的深度的为H，刻蚀槽的宽度为L，其中，2μm≤H≤6μm，L＝a+2b，a为预刻蚀宽度，b为横向刻蚀尺寸，2μm≤b≤6μm；利于刻蚀槽采用干法刻蚀与湿法刻蚀结合的方式刻蚀而成，可采用干法刻蚀和湿法刻蚀分别对第二金属层刻蚀一部分，以减小刻蚀槽的横向刻蚀尺寸，从而可有效减小因全采用湿法刻蚀而导致的较大的芯片设计尺寸。 |
