晶体生长时利用多层套筒形成的温度梯度控制结构及方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

晶体生长时利用多层套筒形成的温度梯度控制结构及方法

基本信息

申请号	CN201210028171.6	申请日	-
公开（公告）号	CN103243378B	公开（公告）日	2016-12-14
申请公布号	CN103243378B	申请公布日	2016-12-14
分类号	C30B11/00(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	刘朝轩;王晨光	申请（专利权）人	鑫融基投资担保有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	471009 河南省洛阳市国家高新技术开发区金鑫路2号
法律状态	-

摘要

一种晶体生长时利用多层套筒形成的温度梯度控制结构及方法，涉及一种晶体材料的生长设备，在炉室(2)内设有坩埚(7)，坩埚的下部处于多层套筒内，多层套筒下端处于于支撑环上，支撑环处于炉室底板或底部保温层(16)上，形成坩埚的下部独立空间；在多层套筒外部设有发热体(5)；冷却介质降温机构设置在多层套筒内的下部；由冷却介质降温机构获取的坩埚底部低温区形成坩埚的温度梯度；当发热体对坩埚加热时，通入坩埚下部的冷却介质降温机构的冷气便会处于多层套筒内，最大可能的使冷能不外泄；而此时的发热体也受到冷能的影响最小，较好的实现了坩埚上部温度高下部温度底的温度梯度；由于多层筒套的作用，可确保坩埚极少出现非均匀晶核。