一种生长晶体材料时的温度梯度控制装置及其方法
基本信息
| 申请号 | CN201210020279.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103160934B | 公开（公告）日 | 2016-05-18 |
| 申请公布号 | CN103160934B | 申请公布日 | 2016-05-18 |
| 分类号 | C30B35/00(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 刘朝轩 | 申请（专利权）人 | 鑫融基投资担保有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 471009 河南省洛阳市国家高新技术开发区金鑫路2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种生长晶体材料时的温度梯度控制装置及其方法，涉及一种晶体材料的生长设备，在炉室(1)内设有坩埚(5)，坩埚的下部处于套筒(4)内，在套筒外部设有发热体(3)；冷却介质降温机构设置在套筒内的下部；由冷却介质降温机构形成坩埚上部温度高下部温度底的温度梯度控制；本发明通过将套筒套在坩埚的外部，发热体首先加热筒套，筒套再对坩埚加热，由于本发明在坩埚底部与套筒底部的立轴高度较高，并且立轴在套筒的底部高度也较高，在通入惰性气体后，所述立轴的散热面积也明显加大，使得坩埚底部与套筒内的底部之间形成低温区，获取了较佳的温度梯度；由于筒套的作用，还可确保坩埚极少出现非均匀晶核。 |
