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碳化硅UMOSFET器件

基本信息

申请号 CN201920068385.3 申请日 -
公开（公告）号 CN209447806U 公开（公告）日 2019-09-27
申请公布号 CN209447806U 申请公布日 2019-09-27
分类号 H01L29/78（2006.01）I; H01L29/812（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I; H01L29/423（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 卓廷厚; 李钊君; 刘延聪 申请（专利权）人 厦门芯光润泽科技有限公司
代理机构 厦门仕诚联合知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 厦门芯光润泽科技有限公司
地址 361000 福建省厦门市火炬高新区火炬园火炬路56-58号火炬广场南楼203-76
法律状态 -

摘要

摘要 一种碳化硅UMOSFET器件。所述器件自下而上包括漏电极层、N+碳化硅衬底和N‑外延层；N‑外延层具有第一P‑阱区、第一N+注入区、第二P‑阱区、第二N+注入区、第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽；第一栅结构和第二栅结构之间留有第三凹槽的第一底面；第三凹槽底部下方具有多个P+注入区，相邻P+注入区之间具有间隔；第一金属、第二金属和第三金属，第三金属覆盖第一金属和第二金属，同时第三金属填充剩余的第一凹槽、剩余的第二凹槽和剩余的第三凹槽，所述第一金属与间隔的上表面形成肖特基接触。所述器件提升了续流能力，可靠性提高，漏电流减小，开关能力提升。