MPS二极管器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811652681.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109888024A | 公开（公告）日 | 2019-06-14 |
| 申请公布号 | CN109888024A | 申请公布日 | 2019-06-14 |
| 分类号 | H01L29/861（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L21/329（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 卓廷厚; 李钊君; 刘延聪 | 申请（专利权）人 | 厦门芯光润泽科技有限公司 |
| 代理机构 | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 厦门芯光润泽科技有限公司 |
| 地址 | 361000 福建省厦门市火炬高新区火炬园火炬路56-58号火炬广场南楼203-76 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种MPS二极管器件及其制备方法。所述MPS二极管器件自下而上包括阴极电极、N+碳化硅衬底、N‑外延层和阳极电极；所述N‑外延层具有至少两个P+区；相邻两个所述P+区之间具有N‑补偿掺杂区，所述N‑补偿掺杂区的深度大于所述P+区的深度，所述N‑补偿掺杂区的掺杂浓度高于所述N‑外延层的掺杂浓度；所述阳极电极包括第一金属和第二金属，所述P+区表面与所述第一金属之间为欧姆接触，所述N‑补偿掺杂区表面与所述第二金属之间肖特基为接触。所述MPS二极管能够改善器件导通特性，促使器件的正向压降降低。 |
