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一种CVD工艺用硅舟及其返修清洗方法

基本信息

申请号 CN202010961018.3 申请日 -
公开（公告）号 CN112301424B 公开（公告）日 2021-09-21
申请公布号 CN112301424B 申请公布日 2021-09-21
分类号 C30B28/14（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;C23F1/32（2006.01）I;C23F1/24（2006.01）I;B08B3/08（2006.01）I;B08B3/12（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 韩颖超;马志杰;李长苏 申请（专利权）人 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司
代理机构 杭州杭诚专利事务所有限公司 代理人 郑汝珍
地址 310051浙江省杭州市滨江区滨康路668号C幢
法律状态 -

摘要

摘要 本发明为了克服现有技术中硅舟在多晶硅沉积后不能循环使用的技术问题，提供一种CVD工艺用硅舟及其返修清洗方法，所述硅舟包括天板、法兰和沟棒，其特征在于，天板的端面上设有第一熔接槽，法兰靠近天板的端面上设有第二熔接槽，沟棒的一端设有与第一熔接槽相匹配的第一熔接头，沟棒的另一端设有与第二熔接槽相匹配的第二熔接头。所述硅舟中沟齿和沟棒的有效面积较小，在薄膜沉积到一定厚度时，降低剥离的薄膜颗粒对晶圆造成污染的几率，所述返修清洗方法可在有效去除表面沉积层同时，不会对硅舟基体表面带来较大的损伤和形貌变化，从而保证了硅舟可以在多晶硅薄膜沉积工艺循环使用。