一种多晶硅棒材料的高洁净度退火方法
基本信息
| 申请号 | CN202110970253.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113417010A | 公开（公告）日 | 2021-09-21 |
| 申请公布号 | CN113417010A | 申请公布日 | 2021-09-21 |
| 分类号 | C30B33/02（2006.01）I;C30B33/10（2006.01）I;C07C51/60（2006.01）I;C07C53/50（2006.01）I;C07C45/45（2006.01）I;C07C45/46（2006.01）I;C07C49/80（2006.01）I;C07C17/35（2006.01）I;C07C22/04（2006.01）I;C07C303/32（2006.01）I;C07C309/39（2006.01）I;C07C213/04（2006.01）I;C07C215/08（2006.01）I;C07C213/06（2006.01）I;C07C219/06（2006.01）I;C08H1/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 韩颖超;赵佑晨;余正飞;李长苏 | 申请（专利权）人 | 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 杭州信与义专利代理有限公司 | 代理人 | 马育妙 |
| 地址 | 310053浙江省杭州市滨江区滨康路668号C幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶硅棒材料的高洁净度退火方法，包括多晶硅棒脱脂清洗、多晶硅棒纯水一次浸泡、多晶硅棒混酸刻蚀、多晶硅棒纯水二次浸泡、多晶硅棒氮气吹干、退火炉清洗、多晶硅棒退火；该多晶硅棒材料表面油脂含量低，且材料体相金属含量低，具有很好的机械加工效果，能够满足芯片制造工艺，并在多晶硅棒脱脂清洗过程中制备了一种脱脂粉，将明胶溶解加入中间体6，在1‑羟基苯并三唑的作用下，中间体6上的羧基与明胶表面的氨基发生脱水缩合，与中间体4继续反应，再用氯乙酸钠进行处理，制得脱脂粉，该脱脂粉能够将自身表面活性分子渗透到油脂中，与多晶硅棒表面隔开，并将油脂乳化分散到水中，达到脱脂效果。 |
