一种硅环外表面加工方法
基本信息
申请号 | CN202010962270.6 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN112171517B | 公开(公告)日 | 2021-11-09 |
申请公布号 | CN112171517B | 申请公布日 | 2021-11-09 |
分类号 | B24C1/08(2006.01)I;B24C3/02(2006.01)I;B24C9/00(2006.01)I | 分类 | 磨削;抛光; |
发明人 | 范明明;韩颖超;李长苏 | 申请(专利权)人 | 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 |
代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人 | 郑汝珍;汪利胜 |
地址 | 310051浙江省杭州市滨江区滨康路668号C幢 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种硅环外表面加工方法,旨在解决硅环表面加工劳动强度大,工作效率低,抛光表面不均匀的不足。该发明包括以下步骤:a、硅环机加工后,将硅环固定在喷砂机的旋转平台上,喷砂机的喷枪对准需要处理的硅环外表面,启动喷砂机使旋转平台带动硅环转动,喷枪喷出砂子撞击到硅环外表面;b、硅环一面完成喷砂后停机,将硅环翻面固定在喷砂机的旋转平台上,喷砂机的喷枪对准需要处理的硅环外表面,启动喷砂机使旋转平台带动硅环转动,喷枪喷出砂子撞击到硅环外表面;通过调整旋转平台的转速和喷枪压力,来调节硅环外表面粗糙度变动区间;c、喷砂机停机,取下硅环进行清洗。 |
