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并联结构的功率半导体器件

基本信息

申请号	CN202022733946.2	申请日	-
公开（公告）号	CN213635959U	公开（公告）日	2021-07-06
申请公布号	CN213635959U	申请公布日	2021-07-06
分类号	H01L23/31;H01L25/00;H01L23/48	分类	基本电气元件;
发明人	吴炆皜;何洪运;郝艳霞	申请（专利权）人	苏州固锝电子股份有限公司
代理机构	苏州创元专利商标事务所有限公司	代理人	马明渡;王健
地址	215153 江苏省苏州市新区通安经济开发区通锡路31号
法律状态	-

摘要

本实用新型公开一种并联结构的功率半导体器件，包括由环氧封装体包覆的芯片基板、第一芯片组和第二芯片组，所述芯片基板的一端自环氧封装体内向外伸出作为第一端子，位于环氧封装体内的该芯片基板的另一端通过一第一连接片与第一芯片组的上层电极连接，所述第一连接片远离第一芯片组的一端向下折弯并与芯片基板连接；一端位于所述第一芯片组与第二芯片组之间的第二连接片的两个表面对应与第一芯片组的下层电极、第二芯片组的上层电极电连接，所述第二连接片的另一端向下折弯并与一基板连接，此基板远离第二连接片的一端自环氧封装体内向外伸出作为第二端子。本实用新型在实现对大功率芯片的封装的同时，降低芯片的结构应力以及在热应力下发生损伤的风险。