一种二维有机-无机杂化双钙钛矿半导体晶体及其制备方法和用途
基本信息
| 申请号 | CN202210280517.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114686987A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114686987A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | C30B29/54（2006.01）I;C30B7/08（2006.01）I;C30B7/14（2006.01）I;H01L51/42（2006.01）I;H01L51/46（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 罗军华;许鹏;姬成敏 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 代理机构 | 福州市众韬专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 350002福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种二维有机‑无机杂化双钙钛矿半导体晶体及其制备方法和用途。一种有机‑无机杂化双钙钛矿半导体晶体，所述的无机‑有机杂化半导体材料的化学式为（C6H5CH2NH3）4AgBiBr8。本发明制备了一种有机‑无机杂化双钙钛矿半导体晶体，本发明的有机‑无机杂化双钙钛矿半导体晶体制备成平面光电导探测器可实现对本征吸收光谱的高灵敏度探测。利用波长为405nm的激光照射该单晶晶体探测器件，测试其光电响应。当入射光的功率密度为50.9mW/cm2时，该晶体器件表现出明显的光电导效应，光电流和暗电流的比值可以达到1.8×103。该结果表明该材料用作光电导探测器件具有潜在的应用价值。 |
