利用材料缺陷制备的钕铁硼磁体
基本信息
| 申请号 | CN202210310846.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114709040A | 公开（公告）日 | 2022-07-05 |
| 申请公布号 | CN114709040A | 申请公布日 | 2022-07-05 |
| 分类号 | H01F1/057（2006.01）I;H01F41/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨牧南;钟淑伟;杨斌;梅军;罗三根 | 申请（专利权）人 | 江西理工大学 |
| 代理机构 | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 341000江西省赣州市章贡区红旗大道86号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种利用材料缺陷制备的钕铁硼磁体。本申请在将合金速凝片进行氢破碎处理得到粗粉，并通过高能气流磨将粗粉研磨成细粉后，将粗、细粉末混合进行磁场取向压制成型和冷等静压处理，得到生胚；由此在将生胚烧结、回火处理获得钕铁硼磁体后，向脱净氧化皮所得的钕铁硼磁体表面沉积重稀土，利用上述制备工艺在磁体中所形成的缺陷相具有高活化能和不稳定的特性，以缺陷相作为重稀土的存储和扩散通道，促进元素扩散深度及速率。本申请能够利用磁体制备过程中所形成的可调控的点、线、面、晶格以及空位缺陷等，利用缺陷浓度的提升改善重稀土核壳结构层的分布，提升本申请制备所得钕铁硼磁体的矫顽力，并节约制造成本。 |
