一种直拉大尺寸无位错锗单晶新型缩颈工艺
基本信息
| 申请号 | CN202011151951.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112342613A | 公开（公告）日 | 2021-02-09 |
| 申请公布号 | CN112342613A | 申请公布日 | 2021-02-09 |
| 分类号 | C30B15/22(2006.01)I;C30B29/08(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 王宇;冯德伸;李燕;雷同光;王博 | 申请（专利权）人 | 中国有研科技集团有限公司 |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘秀青 |
| 地址 | 100088北京市西城区新外大街2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种直拉大尺寸无位错锗单晶新型缩颈工艺，包括以下步骤：(1)通过常规缩颈工艺将细颈的尺寸控制在3‑5mm，长度150‑300mm；(2)将细颈放粗到Φ15±2mm，等径拉制一段长度，直到细颈部位到达600℃以下的热场区域，然后再放肩到单晶所需的直径。本发明的工艺用于在小梯度热场下，能够在拉制大尺寸无位错锗单晶时，减少细颈因受单晶重力因素导致塑性形变而产生位错，避免这些位错延伸到单晶。 |
