一种体声波谐振器的电极结构及制作工艺
基本信息
申请号 | CN202010476599.1 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN111669141B | 公开(公告)日 | 2021-11-02 |
申请公布号 | CN111669141B | 申请公布日 | 2021-11-02 |
分类号 | H03H9/02(2006.01)I;H03H9/17(2006.01)I;H03H3/02(2006.01)I | 分类 | 基本电子电路; |
发明人 | 李林萍;盛荆浩;江舟 | 申请(专利权)人 | 见闻录(浙江)半导体有限公司 |
代理机构 | 厦门福贝知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 陈远洋 |
地址 | 313000浙江省湖州市康山街道红丰路1366号3幢1219-23 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种体声波谐振器的电极结构及制作工艺,包括依次层叠形成的底电极层、压电层和顶电极层,在压电层上形成有包覆顶电极层的至少一个侧边的声波反射挡沿,声波反射挡沿从顶电极层的侧边延伸到顶电极层的顶部边缘形成质量负载层,声波反射挡沿的外侧边缘在压电层上的投影区域完全位于底电极层的区域范围内。通过顶电极层边缘的高低声阻抗交替形成的声波反射挡沿反射横波,避免横波从谐振器边缘泄露而带走能量,提升器件性能。优选地,以简单的工艺在制作声波反射挡沿的同时既能形成质量负载层又能形成顶电极电性连接其它谐振器的连接部。 |
