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一种体声波谐振器的空腔结构及制作工艺

基本信息

申请号 CN202010595466.6 申请日 -
公开（公告）号 CN111934639B 公开（公告）日 2021-10-29
申请公布号 CN111934639B 申请公布日 2021-10-29
分类号 H03H9/02（2006.01）I;H03H9/15（2006.01）I 分类 基本电子电路;
发明人 李林萍;盛荆浩;江舟 申请（专利权）人 见闻录（浙江）半导体有限公司
代理机构 厦门福贝知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 陈远洋
地址 313000浙江省湖州市康山街道红丰路1366号3幢1219-23
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了提出了一种体声波谐振器的空腔结构及制作工艺，包括衬底、形成在衬底上的空腔，衬底上设置有支撑层以包围形成空腔，在衬底上方与空腔同层形成有连通空腔的释放通道，释放通道平行于衬底在空腔周围延伸，其中，交错的释放通道可依谐振器的分布位置设计。无需做释放孔简化了谐振器的制作工艺，避免了制作释放孔时使电极层周围的压电层结构遭受破坏而带来的谐振器性能削弱。并且可以设计电极层周围的释放通道的形状，调节电极层周围的压电层应力可以达到改善谐振器性能的效果。因此既能在不破坏压电层结构的前提下完成空腔释放，又能通过空腔结构设计调节压电层应力。