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一种MEMS器件的晶圆级封装方法和封装结构

基本信息

申请号 CN202010679793.X 申请日 -
公开（公告）号 CN111892015B 公开（公告）日 2021-05-25
申请公布号 CN111892015B 申请公布日 2021-05-25
分类号 B81C1/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I 分类 微观结构技术〔7〕;
发明人 倪正春;盛荆浩;江舟 申请（专利权）人 见闻录（浙江）半导体有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 姚璐华
地址 313000 浙江省湖州市康山街道红丰路1366号3幢1219-23
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种MEMS器件的晶圆级封装方法和封装结构，封装方法包括：提供基板，所述基板一侧具有MEMS器件和与MEMS器件电连接的焊盘；在焊盘表面形成与焊盘电连接的连接线；提供盖板，所述盖板的一侧具有凹槽和分离槽；将盖板具有凹槽的一侧与基板具有MEMS器件的一侧键合，连接线容纳于分离槽内，MEMS器件密封于盖板具有凹槽的区域与基板构成的空腔内；去除焊盘上的盖板，以暴露出焊盘和连接线。与现有的纵向TSV技术相比，本发明中的MEMS器件的晶圆级封装方法工艺简单，使得MEMS器件的晶圆级封装结构的制作难度较小、成本较低。