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一种薄膜体声波谐振器及其制作工艺

基本信息

申请号 CN202010526851.5 申请日 -
公开（公告）号 CN111817679B 公开（公告）日 2021-10-15
申请公布号 CN111817679B 申请公布日 2021-10-15
分类号 H03H3/02;H03H9/02;H03H9/13;H03H9/17 分类 基本电子电路;
发明人 李林萍;盛荆浩;江舟 申请（专利权）人 见闻录（浙江）半导体有限公司
代理机构 厦门福贝知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 陈远洋
地址 313000 浙江省湖州市康山街道红丰路1366号3幢1219-23
法律状态 -

摘要

摘要 公开了一种薄膜体声波谐振器，包括设置在声波反射结构所在衬底的上部的底电极层、压电层和顶电极层，其中压电层的与声波反射结构的边界对应的部位经过退极化处理以形成退极化部。还公开了一种薄膜体声波谐振器的制作工艺，包括在形成或将要形成声波反射结构的衬底上制作底电极层以覆盖声波反射结构；在底电极层上制作压电层；对压电层的与声波反射结构的边界对应的部位进行退极化处理以形成退极化部；在压电层上制作顶电极层。该薄膜体声波谐振器及其制作工艺可以抑制横波从谐振器的空腔上部的谐振区域带走能量，从而保证谐振区域的机械振动强度，抑制寄生振荡，并提升谐振器Q值。