本征型低介质损耗因数聚酰亚胺薄膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011361830.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112480405B | 公开（公告）日 | 2021-10-12 |
| 申请公布号 | CN112480405B | 申请公布日 | 2021-10-12 |
| 分类号 | C08G73/10（2006.01）I;C08J5/18（2006.01）I;C08L79/08（2006.01）N | 分类 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物; |
| 发明人 | 姬亚宁;青双桂;易春晴;蒋耿杰 | 申请（专利权）人 | 桂林电器科学研究院有限公司 |
| 代理机构 | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 唐智芳 |
| 地址 | 541004广西壮族自治区桂林市七星区东城路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种本征型低介质损耗因数聚酰亚胺薄膜及其制备方法，属于聚酰亚胺材料技术领域。本发明所述聚酰亚胺薄膜在组成上含有占比为5～30mol％的式（I）表示的重复单元及余量的低极性聚酰亚胺聚合物，其中双酯键单体TAHQ的使用有效降低聚酰亚胺体系的介质损耗因数，而采用式（I）所示结构的聚合物与低极性聚酰亚胺聚合物通过嵌段聚合而成的聚酰亚胺薄膜无需涂覆热塑性层即可满足行业标准中对剥离强度的要求，且介电损耗因数≤0.006、介电常数≤3.0（10GHz），满足高频条件下的信号传输要求。其中，所述式（I）表示的重复单元结构如下：3式（I）中，X为CH3或CF，n为大于或等于1的整数。 |
