低介电高绝缘强度聚酰亚胺薄膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110609234.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113234245A | 公开（公告）日 | 2021-08-10 |
| 申请公布号 | CN113234245A | 申请公布日 | 2021-08-10 |
| 分类号 | C08J5/18;C08L79/08;C08K3/08;C08K3/22 | 分类 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物; |
| 发明人 | 任小龙;王振宇;朱凌云;汪英 | 申请（专利权）人 | 桂林电器科学研究院有限公司 |
| 代理机构 | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 唐智芳 |
| 地址 | 541004 广西壮族自治区桂林市七星区东城路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种低介电高绝缘强度聚酰亚胺薄膜及其制备方法。该薄膜的制备方法包括：先制备聚酰胺酸树脂溶液；然后在聚酰胺酸树脂溶液中加入银盐分散液和增强填料分散液，混匀，所得混合树脂溶液在流涎成膜后经恒温热分解、亚胺化、定型处理，即得；其中，银盐分散液和增强填料分散液分别为银盐和增强填料分别分散于极性非质子溶剂中形成的溶液，它们的加入量分别为聚酰胺酸树脂溶液固含量的0.1～10wt％和0.5～8.5wt％；所述恒温热分解处理是在190～220℃条件下保温分解，分解时间≥5min。本发明所述方法制得的薄膜不仅具有较低的介电性，还具有较高的力学性能和绝缘强度。 |
